Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STGP6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP6M65DF2
Price: 17.28 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STGP6M65DF2

Tillverk: Nr.:

STGP6M65DF2

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

Komplettera din design

Datablad:

STGP6M65DF2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STGP6M65DF2

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	17,28 kr	17,28 kr
	8,28 kr	82,80 kr
	7,40 kr	740,00 kr
	5,84 kr	2 920,00 kr
	5,34 kr	5 340,00 kr
	4,83 kr	9 660,00 kr
	4,46 kr	22 300,00 kr
	4,28 kr	42 800,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	TO-220-3
Monteringsstil:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	650 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.55 V
Maximal grind-emitterspänning:	- 20 V, 20 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	12 A
Pd - Effektavledning:	88 W
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGP6M65DF2
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.:	12 A
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Gate-sändarens läckström:	250 uA
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	IGBTs
Enhetens vikt:	1,800 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STGP6M65DF2 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.