STGP5H60DF

STMicroelectronics
511-STGP5H60DF
STGP5H60DF

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 931

Lager:
931
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
1 000
Förväntad 2026-04-03
Fabrikens ledtid:
15
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
18,42 kr 18,42 kr
8,82 kr 88,20 kr
7,89 kr 789,00 kr
6,26 kr 3.130,00 kr
5,72 kr 5.720,00 kr
5,29 kr 10.580,00 kr
4,96 kr 24.800,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
10 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP5H60DF
Tube
Märke: STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.: 10 A
Gate-sändarens läckström: +/- 250 nA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: IGBTs
Enhetens vikt: 2 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.