STGF30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF30M65DF2
STGF30M65DF2

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 391

Lager:
1 391 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
28,62 kr 28,62 kr
14,20 kr 142,00 kr
12,83 kr 1 283,00 kr
10,39 kr 5 195,00 kr
10,03 kr 10 030,00 kr
9,39 kr 18 780,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
38 W
- 55 C
+ 175 C
STGF30M65DF2
Tube
Märke: STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.: 60 A
Monteringsland: CN
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Gate-sändarens läckström: 250 uA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: IGBTs
Enhetens vikt: 2 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99