STGD5H60DF

STMicroelectronics
511-STGD5H60DF
STGD5H60DF

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 893

Lager:
2 893 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
10,88 kr 10,88 kr
6,82 kr 68,20 kr
4,49 kr 449,00 kr
3,85 kr 1.925,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
3,26 kr 8.150,00 kr
2,59 kr 12.950,00 kr
2,50 kr 25.000,00 kr
2,44 kr 61.000,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
DPAK-3 (TO-252-3)
SMD/SMT
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
10 A
83 W
- 55 C
+ 175 C
STGD5H60DF
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.: 10 A
Gate-sändarens läckström: +/- 250 nA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: IGBTs
Enhetens vikt: 330 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.