STFW4N150

STMicroelectronics
511-STFW4N150
STFW4N150

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 354

Lager:
354 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
60,06 kr 60,06 kr
46,00 kr 460,00 kr
37,17 kr 3.717,00 kr
33,14 kr 19.884,00 kr
28,34 kr 34.008,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
4 A
7 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
PowerMESH
Tube
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Produkttyp: MOSFETs
Serie: STFW4N150
Fabriksförpackningskvantitet: 300
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Enhetens vikt: 7 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors