STFU13N65M2

STMicroelectronics
511-STFU13N65M2
STFU13N65M2

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 926

Lager:
926 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 926 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
23,00 kr 23,00 kr
11,45 kr 114,50 kr
10,12 kr 1 012,00 kr
8,15 kr 4 075,00 kr
7,45 kr 7 450,00 kr
6,93 kr 13 860,00 kr
6,77 kr 33 850,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
430 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 12 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 7.8 ns
Serie: STFU13N65M2
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 38 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 11 ns
Enhetens vikt: 2 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.