Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STF13NM60ND

Name: STMicroelectronics STF13NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF13NM60ND
Price: 46.32 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STF13NM60ND

Tillverk: Nr.:

STF13NM60ND

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II

Komplettera din design

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

STF13NM60ND Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 717

Lager:: 717 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 717 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	46,32 kr	46,32 kr
	24,59 kr	245,90 kr
	22,47 kr	2 247,00 kr
	21,52 kr	10 760,00 kr
	20,56 kr	20 560,00 kr
	19,93 kr	39 860,00 kr

Liknande produkt

Tillverk:

STMicroelectronics

Tillverk: Nr.:

STF13N60DM2

Beskrivning:

MOSFET:er N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	11 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	380 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	24.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	25 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	15.4 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	10 ns
Serie:	STF13NM60ND
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	9.6 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	46.5 ns
Enhetens vikt:	2 g