STDRIVEG611QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611QTR
STDRIVEG611QTR

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 3000   Flera: 3000
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
14,82 kr 44.460,00 kr
14,50 kr 87.000,00 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Tray
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
28,23 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Märke: STMicroelectronics
Ingångsspänning – max.: 20 V
Ingångsspänning – min.: 3.3 V
Maximal förseningstid vid avstängning: 60 ns
Maximal förseningstid vid påslagning: 60 ns
Fuktkänsliga: Yes
Utgångsspänning: 520 V
Produkttyp: Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max: 60 ns
Rds på - Dräneringskällans resistans: 7 Ohms
Avstängning: Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: GaN
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver is a high-voltage half-bridge gate driver for N-channel Enhancement Mode GaN. The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.