STDRIVEG600W

STMicroelectronics
511-STDRIVEG600W
STDRIVEG600W

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

Livscykel:
Specialbeställning från fabrik:
Få ett anbud för att bekräfta tillverkarens aktuella pris, leveranstid och beställningsvillkor.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Inte tillgänglig

Prissättning (SEK)

Liknande produkt

STMicroelectronics STDRIVEG600
STMicroelectronics
Styrdrivenheter High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
1 Output
5.5 A, 6 A
4.75 V
20 V
7 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Märke: STMicroelectronics
Utgångsspänning: 520 V
Produkttyp: Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet: 1
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: GaN
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.