STDRIVEG600TR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG600TR
STDRIVEG600TR

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 109

Lager:
109
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
2 500
Förväntad 2026-05-11
Fabrikens ledtid:
18
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
38,15 kr 38,15 kr
28,89 kr 288,90 kr
26,49 kr 662,25 kr
23,98 kr 2.398,00 kr
22,78 kr 5.695,00 kr
22,02 kr 11.010,00 kr
21,47 kr 21.470,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
19,84 kr 49.600,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Tube
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
46,76 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
1 Output
5.5 A, 6 A
4.75 V
20 V
7 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Logiktyp: CMOS, TTL
Fuktkänsliga: Yes
Utgångsspänning: 520 V
Produkttyp: Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: GaN
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.