STDRIVEG212QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG212QTR
STDRIVEG212QTR

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 613

Lager:
613 Kan skickas omedelbart
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
36,19 kr 36,19 kr
23,98 kr 239,80 kr
21,80 kr 545,00 kr
18,53 kr 1.853,00 kr
17,66 kr 4.415,00 kr
15,81 kr 7.905,00 kr
14,82 kr 14.820,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
12,43 kr 37.290,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Märke: STMicroelectronics
Utvecklingskit: EVLSTDRIVEG212
Maximal förseningstid vid avstängning: 65 ns
Maximal förseningstid vid påslagning: 65 ns
Fuktkänsliga: Yes
Arbetsström: 900 uA
Utgångsspänning: 220 V
Produkttyp: Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max: 65 ns
Rds på - Dräneringskällans resistans: 4.8 Ohms
Avstängning: Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: GaN
Handelsnamn: STDRIVE
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG212 220V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 220V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG212 optimized for driving high-speed GaN.