Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STD80N6F7

Name: STMicroelectronics STD80N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N6F7
Price: 3.25 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STD80N6F7

Tillverk: Nr.:

STD80N6F7

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

Komplettera din design

Datablad:

STD80N6F7 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STD80N6F7

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 2500 Flera: 2500

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	3,25 kr	8 125,00 kr
	3,17 kr	15 850,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	40 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	25 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	100 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Falltid:	7.8 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	17.6 ns
Serie:	STD80N6F7
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	24.4 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns
Enhetens vikt:	360 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STD80N6F7 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low R_DS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.