STD7N80K5

STMicroelectronics
511-STD7N80K5
STD7N80K5

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
421
Förväntad 2026-09-17
2 500
Förväntad 2026-09-28
Fabrikens ledtid:
18
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
25,44 kr 25,44 kr
15,58 kr 155,80 kr
11,02 kr 1 102,00 kr
9,12 kr 4 560,00 kr
8,60 kr 8 600,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
7,90 kr 19 750,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
1.2 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
13.4 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Falltid: 20.2 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 8.3 ns
Serie: STD7N80K5
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 23.7 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 11.3 ns
Enhetens vikt: 330 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.