Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STD6NK50ZT4

Name: STMicroelectronics STD6NK50ZT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD6NK50ZT4
Price: 6.42 SEK
Availability: Discontinued

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STD6NK50ZT4

Tillverk: Nr.:

STD6NK50ZT4

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N Ch 500V 0.98 OHM 5.6A

Komplettera din design

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

STD6NK50ZT4 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 2500 Flera: 2500

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	6,42 kr	16 050,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	500 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	5.6 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.2 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	24.6 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	90 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	SuperMESH
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	23 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	23.5 ns
Serie:	STD6NK50Z
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	31 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns
Enhetens vikt:	330 mg