Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STD6N60DM2

Name: STMicroelectronics STD6N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD6N60DM2
Price: 20.88 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STD6N60DM2

Tillverk: Nr.:

STD6N60DM2

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

Komplettera din design

Datablad:

STD6N60DM2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 006

Lager:: 2 006 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	20,88 kr	20,88 kr
	13,14 kr	131,40 kr
	8,63 kr	863,00 kr
	6,84 kr	3 420,00 kr
	6,08 kr	6 080,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	5,41 kr	13 525,00 kr
	5,33 kr	26 650,00 kr
	5,15 kr	51 500,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Serie:	STD6N60DM2
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	STMicroelectronics
Kanalläge:	Enhancement
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	19.6 ns
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	3.2 A
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Antal kanaler:	1 Channel
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Pd - Effektavledning:	60 W
Produkttyp:	MOSFETs
Qg - Gate-laddning:	6.2 nC
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.1 Ohms
Stigtid:	5.6 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	Si
Handelsnamn:	MDmesh
Transistorns polaritet:	N-Channel
Transistortyp:	1 N Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	12 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9.2 ns
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.25 V
Enhetens vikt:	360 mg