STD140N6F7

STMicroelectronics
511-STD140N6F7
STD140N6F7

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 19 715

Lager:
19 715 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
21,04 kr 21,04 kr
13,52 kr 135,20 kr
9,13 kr 913,00 kr
7,29 kr 3.645,00 kr
6,90 kr 6.900,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
6,05 kr 15.125,00 kr
5,96 kr 29.800,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
3.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
134 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 20 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 68 ns
Serie: STD140N6F7
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 39 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 24 ns
Enhetens vikt: 330 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.