STB85NF55T4

STMicroelectronics
511-STB85NF55
STB85NF55T4

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-Ch 55 Volt 80 Amp

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
13 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 1000   Flera: 1000
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
9,94 kr 9.940,00 kr
9,74 kr 19.480,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
80 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
150 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 35 ns
Transkonduktans framåt - Min: 120 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 100 ns
Serie: STB85NF55
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 70 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 25 ns
Enhetens vikt: 4 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.