STB80NF55L-08-1

Name: STMicroelectronics STB80NF55L-08-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB80NF55L-08-1
Price: 31.38 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STB80NF55L-08-1

Tillverk: Nr.:

STB80NF55L-08-1

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A

Komplettera din design

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

STB80NF55L-08-1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STB80NF55L-08-1

På lager: 892

Lager:: 892 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 892 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	31,38 kr	31,38 kr
	16,01 kr	160,10 kr
	14,63 kr	1 463,00 kr
	14,42 kr	7 210,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-262-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	55 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	80 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	75 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	300 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	65 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	145 ns
Serie:	STB80NF55L, STP80NF55L
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	85 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	35 ns
Enhetens vikt:	2,387 g