Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STB4NK60Z-1

Name: STMicroelectronics STB4NK60Z-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB4NK60Z-1
Price: 3.86 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STB4NK60Z-1

Tillverk: Nr.:

STB4NK60Z-1

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A

Komplettera din design

Datablad:

STB4NK60Z-1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STB4NK60Z-1

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 2000 Flera: 1000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	3,86 kr	7 720,00 kr
	3,83 kr	19 150,00 kr
	3,75 kr	37 500,00 kr
	3,59 kr	89 750,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-262-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	26 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	70 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	SuperMESH
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	16.5 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	9.5 ns
Serie:	STB4NK60Z-1
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	29 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns
Enhetens vikt:	2,387 g