STB36N60M6

STMicroelectronics
511-STB36N60M6
STB36N60M6

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 891

Lager:
891 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
57,56 kr 57,56 kr
38,69 kr 386,90 kr
27,98 kr 2 798,00 kr
27,77 kr 13 885,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
26,08 kr 26 080,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
85 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
44.3 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 7.3 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 5.3 ns
Serie: Mdmesh M6
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 50.2 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 15.2 ns
Enhetens vikt: 1,380 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Singapore
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

MDmesh™ M6-MOSFET:ar

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFET:ar kombinerar en låg gate-laddning (Qg) med en optimerad kapacitansprofil för målinriktning på högeffektiva nya topologier i strömomvandlingstillämpningar. MDmesh M6-seriens superkopplingar erbjuder extremt högeffektiv prestanda som resulterar i ökad effektdensitet och en låg gate-laddning för drift vid höga frekvenser. M6-seriens MOSFET:ar har en genomslagsspänning från 600 till 700 V. De finns i ett brett utbud av kapslingsalternativ inklusive en lösning med en blyfri TO-Leadless-kapsling (TO-LL), som möjliggör effektiv värmehantering. Enheterna omfattar ett brett intervall av driftspänningar för industriella tillämpningar, inklusive laddare, adaptrar, silverbox-moduler, LED-belysning, telekommunikation, servrar och solenergi.