Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STB24N60DM2

Name: STMicroelectronics STB24N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB24N60DM2
Price: 36.46 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STB24N60DM2

Tillverk: Nr.:

STB24N60DM2

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

Komplettera din design

Datablad:

STB24N60DM2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STB24N60DM2

På lager: 1 175

Lager:: 1 175 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	36,46 kr	36,46 kr
	23,85 kr	238,50 kr
	16,75 kr	1 675,00 kr
	13,89 kr	6 945,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	13,25 kr	13 250,00 kr
	12,83 kr	25 660,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	18 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	200 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	29 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	150 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	FDmesh
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	15 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8.7 ns
Serie:	STB24N60DM2
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	60 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns
Enhetens vikt:	4 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STB24N60DM2 Datablad (PDF)

PCN

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Singapore
Monteringsland:: Singapore
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.