STB12N60DM2AG

Name: STMicroelectronics STB12N60DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB12N60DM2AG
Price: 31.61 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STB12N60DM2AG

Tillverk: Nr.:

STB12N60DM2AG

Tillverk:

STMicroelectronics

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lager:: 227 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	31,61 kr	31,61 kr
	20,49 kr	204,90 kr
	15,70 kr	1.570,00 kr
	13,08 kr	6.540,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	10,68 kr	10.680,00 kr
	10,59 kr	21.180,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	10 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	430 mOhms
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	14.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	125 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Handelsnamn:	MDmesh
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	13 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1-N Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	25 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns