Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STB100N10F7

Name: STMicroelectronics STB100N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB100N10F7
Price: 29.79 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STB100N10F7

Tillverk: Nr.:

STB100N10F7

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

Komplettera din design

Datablad:

STB100N10F7 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STB100N10F7

På lager: 1 026

Lager:: 1 026

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 1 000

Förväntad 2026-06-08
Fabrikens ledtid:: 14

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	29,79 kr	29,79 kr
	19,29 kr	192,90 kr
	13,36 kr	1 336,00 kr
	10,81 kr	5 405,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	9,93 kr	9 930,00 kr
	8,96 kr	17 920,00 kr
	8,89 kr	44 450,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	80 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	61 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	150 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	STripFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	IT
Falltid:	15 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	40 ns
Serie:	STB100N10F7
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	46 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	27 ns
Enhetens vikt:	4 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STB100N10F7 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.