Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 43.04 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SGT65R65AL

Tillverk: Nr.:

SGT65R65AL

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

Komplettera din design

Datablad:

SGT65R65AL Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics SGT65R65AL

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 3000 Flera: 3000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	43,04 kr	129 120,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerFLAT-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	25 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	65 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	+ 6 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.8 V
Qg - Gate-laddning:	5.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	305 W
Märke:	STMicroelectronics
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Reel
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	SGT
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN-on-Si
Transistortyp:	E-Mode
Typ:	RF Power MOSFET
Enhetens vikt:	76 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SGT65R65AL Datablad (PDF)

Application Notes

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors are 650V, 25A transistors combined with well-established packaging technology. The STMicroelectronics SGT65R65AL has a resulting G-HEMT device that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. The device can enable high power density and unbeatable efficiency performances.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.