Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SGT190R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT190R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT190R70ILB
Price: 36.04 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SGT190R70ILB

Tillverk: Nr.:

SGT190R70ILB

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

Komplettera din design

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

SGT190R70ILB Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics SGT190R70ILB

På lager: 700

Lager:: 700 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	36,04 kr	36,04 kr
	25,12 kr	251,20 kr
	18,87 kr	1 887,00 kr
	16,75 kr	8 375,00 kr
	16,54 kr	16 540,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	13,99 kr	41 970,00 kr
	13,89 kr	125 010,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerFLAT-8
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	700 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	11.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	190 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	2.8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	83 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	4 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkt:	FET
Produkttyp:	GaN FETs
Stigtid:	4 ns
Serie:	SGT
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Typ:	PowerGaN Transistor
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	1.7 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	1.4 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SGT190R70ILB Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-11-26 (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.