SGT105R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT105R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT105R70ILB
Price: 59.68 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SGT105R70ILB

Tillverk: Nr.:

SGT105R70ILB

Tillverk:

STMicroelectronics

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lager:: 693 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	59,68 kr	59,68 kr
	46,43 kr	464,30 kr
	35,09 kr	3 509,00 kr
	33,92 kr	16 960,00 kr
	26,82 kr	26 820,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	22,68 kr	68 040,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerFLAT-8
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	700 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	21.7 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	105 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	4.8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	158 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkt:	FET
Produkttyp:	GaN FETs
Stigtid:	9 ns
Serie:	SGT
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Typ:	PowerGaN Transistor