SCTW100N65G2AG

Name: STMicroelectronics SCTW100N65G2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW100N65G2AG
Price: 267.86 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SCTW100N65G2AG

Tillverk: Nr.:

SCTW100N65G2AG

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

Komplettera din design

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

SCTW100N65G2AG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics SCTW100N65G2AG

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 17 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 600 Flera: 600

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	267,86 kr	160 716,00 kr
1 200	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	HiP-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	100 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	69 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	162 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 200 C
Pd - Effektavledning:	420 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Märke:	STMicroelectronics
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	IT
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Serie:	SCTW100N65G2AG
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Enhetens vikt:	4,500 g