Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SCT30N120H

Name: STMicroelectronics SCT30N120H
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT30N120H
Price: 231.19 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SCT30N120H

Tillverk: Nr.:

SCT30N120H

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm

Komplettera din design

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

SCT30N120H Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics SCT30N120H

På lager: 823

Lager:: 823 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 823 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	231,19 kr	231,19 kr
	189,21 kr	1 892,10 kr
	167,27 kr	16 727,00 kr
	167,16 kr	83 580,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	166,95 kr	166 950,00 kr
5 000	Beräkning

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	H2PAK-2
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	45 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	90 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.8 V
Qg - Gate-laddning:	105 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	270 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	28 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	20 ns
Serie:	SCT30N120H
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	45 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	19 ns
Enhetens vikt:	4 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SCT30N120H Datablad (PDF)

PCN

Efterlevnadskoder

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.