SCT060HU75G3AG

Name: STMicroelectronics SCT060HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT060HU75G3AG
Price: 65.83 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SCT060HU75G3AG

Tillverk: Nr.:

SCT060HU75G3AG

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 58 mOhm typ., 30 A

Komplettera din design

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

SCT060HU75G3AG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 600 Flera: 600

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 600)
	65,83 kr	39 498,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HU3PAK-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	750 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	30 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	78 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.2 V
Qg - Gate-laddning:	29 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	185 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	25 ns
Förpackning:	Reel
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	4.8 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	55 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns
Enhetens vikt:	2,320 g