SCT027W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT027W65G3-4AG
Price: 154.97 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SCT027W65G3-4AG

Tillverk: Nr.:

SCT027W65G3-4AG

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Komplettera din design

Datablad:

SCT027W65G3-4AG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG

På lager: 307

Lager:: 307 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	154,97 kr	154,97 kr
	148,19 kr	1 481,90 kr
	67,20 kr	40 320,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	HiP-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	60 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	29 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.2 V
Qg - Gate-laddning:	51 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 200 C
Pd - Effektavledning:	313 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q100
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	17 ns
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	8 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	31 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	17 ns