SCT025H120G3-7

Name: STMicroelectronics SCT025H120G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT025H120G3-7
Price: 148.61 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SCT025H120G3-7

Tillverk: Nr.:

SCT025H120G3-7

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Komplettera din design

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

SCT025H120G3-7 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 100

Förväntad 2026-05-29
Fabrikens ledtid:: 21

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 100 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	148,61 kr	148,61 kr
	138,54 kr	1 385,40 kr
	126,56 kr	12 656,00 kr
	119,99 kr	59 995,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	90,63 kr	90 630,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	H2PAK-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	55 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	37 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	73 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	375 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	25 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	27 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	48 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	23 ns