RF5L15120CB4

STMicroelectronics
511-RF5L15120CB4
RF5L15120CB4

Tillverk:

Beskrivning:
RF MOSFET-transistorer 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 18

Lager:
18 Kan skickas omedelbart
Partier som är större än 18 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 100)
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
1.805,69 kr 1.805,69 kr
1.472,05 kr 14.720,50 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 100)
1.449,05 kr 144.905,00 kr
500 Beräkning
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:  
Dual N-Channel
Si
2.5 A
95 V
1 Ohms
1 GHz
20 dB
120 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Fuktkänsliga: Yes
Antal kanaler: 2 Channel
Produkttyp: RF MOSFET Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 100
Underkategori: MOSFETs
Typ: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-källans spänning: - 8 V, + 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning: 2.8 V
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RF5L15120CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF5L15120CB4 RF Power LDMOS Transistor features high efficiency and linear gain operations. The RF5L15120CB4 120W LDMOS FET provides a significant positive and negative gate/source voltage range. The device can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.