Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

RF3L05250CB4

Name: STMicroelectronics RF3L05250CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF3L05250CB4
Price: 1756.1 SEK
Availability: Discontinued

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-RF3L05250CB4

Tillverk: Nr.:

RF3L05250CB4

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

RF MOSFET-transistorer 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz

Komplettera din design

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

RF3L05250CB4 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics RF3L05250CB4

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 100 Flera: 100

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 100)
	1 756,10 kr	175 610,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:
Transistorns polaritet:	N-Channel
Teknologi:	Si
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	2.5 A
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	90 V
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1 Ohms
Manövreringsfrekvens:	1 MHz
Förstärkning:	18 dB
Utgångseffekt:	250 W
Maximal drifttemperatur:	+ 200 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	LBB-5
Förpackning:	Reel
Märke:	STMicroelectronics
Antal kanaler:	1 Channel
Pd - Effektavledning:	250 W
Produkttyp:	RF MOSFET Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	100
Underkategori:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-källans spänning:	+ 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Enhetens vikt:	2,400 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RF3L05250CB4 Datablad (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification_2024_07_22 (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

RFxL RF Power LDMOS Transistors

STMicroelectronics RFxL RF Power LDMOS Transistors offer high-performance intended for multiple applications with different frequency bands. The RFxL RF Power Transistors are available in B4E, B2, and LBB packages.