MASTERGAN2

STMicroelectronics
511-MASTERGAN2
MASTERGAN2

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 172

Lager:
172 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
99,85 kr 99,85 kr
79,08 kr 790,80 kr
73,88 kr 1 847,00 kr
68,16 kr 6 816,00 kr
51,30 kr 12 825,00 kr
2 500 Beräkning

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
61,27 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
2 Driver
1 Output
10 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Märke: STMicroelectronics
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TH
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet: 1560
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Enhetens vikt: 150 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.