MASTERGAN1

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1
MASTERGAN1

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 374

Lager:
374 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
99,53 kr 99,53 kr
80,45 kr 804,50 kr
75,68 kr 1 892,00 kr
70,38 kr 7 038,00 kr
67,84 kr 16 960,00 kr
66,25 kr 33 125,00 kr
58,62 kr 58 620,00 kr
2 500 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Märke: STMicroelectronics
Utvecklingskit: EVALMASTERGAN1
Fuktkänsliga: Yes
Arbetsström: 680 uA
Produkttyp: Gate Drivers
Rds på - Dräneringskällans resistans: 330 mOhms
Avstängning: Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 1560
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Enhetens vikt: 120 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Thailand
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.