EVLSTDRIVEG212

STMicroelectronics
511-EVLSTDRIVEG212
EVLSTDRIVEG212

Tillverk:

Beskrivning:
Strömhantering, IC-utvecklingsverktyg Evaluation board for STDRIVEG212 220 V high-speed half-bridge gate driver with 2.2 mOhms, 100 V e-mode GaN HEMT

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.

På lager: 16

Lager:
16 Kan skickas omedelbart
Minst: 1   Flera: 1   Maximalt: 5
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
562,33 kr 562,33 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Strömhantering, IC-utvecklingsverktyg
Evaluation Boards
Gate Driver
12 V
STDRIVEG212
Märke: STMicroelectronics
Mått: 56 mm x 79 mm
Förpackning: Bulk
Produkttyp: Power Management IC Development Tools
Fabriksförpackningskvantitet: 1
Underkategori: Development Tools
Enhetens vikt: 100 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8473302000
USHTS:
8473301180

EVLSTDRIVEG212 Evaluation Board

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG212 Evaluation Board is easy to use, as well as quick and suitable for evaluating the characteristics of the STDRIVEG212 driving two 2.2mΩ (typical), 100V emode GaN switches in a half-bridge configuration. The STDRIVEG212 is a 220V high-speed half-bridge gate driver optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. It features separated high-current sink/source gate driving pins, integrated LDOs, undervoltage, bootstrap diode, high-side fast startup, overtemperature, fault/shutdown pins, and standby to fully support hard-switching topologies in a 4mm x 5mm QFN package. The EVLSTDRIVEG212 board is also suitable for evaluating the STDRIVEG612 features.