TPH3206PSB

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

227-TPH3206PSB

Tillverk: Nr.:

TPH3206PSB

Tillverk:

Renesas Electronics

Livscykel:

Inaktuell

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Leveransavisering:

Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Renesas Electronics
Produktkategori:	GaN FET
Leveransrestriktioner:	Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	16 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	180 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.65 V
Qg - Gate-laddning:	6.2 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	81 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Falltid:	4 ns
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	GaN FETs
Stigtid:	4.5 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	9.7 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	6 ns
Enhetens vikt:	2 g