71V416S12BEG

Renesas Electronics
972-71V416S12BEG
71V416S12BEG

Tillverk:

Beskrivning:
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 250   Flera: 250
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
68,48 kr 17 120,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Renesas Electronics
Produktkategori: SRAM
RoHS-direktivet:  
4 Mbit
256 k x 16
12 ns
Parallel
3.6 V
3 V
180 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
CABGA-48
Tray
Märke: Renesas Electronics
Minnestyp: SDR
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: SRAM
Serie: 71V416S12
Fabriksförpackningskvantitet: 250
Underkategori: Memory & Data Storage
Typ: Asynchronous
Del # Alias: IDT71V416S12BEG 71V416
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232019
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Filippinerna
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.