Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

UT6JE5TCR

Name: ROHM Semiconductor UT6JE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-UT6JE5TCR
Price: 4.2 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-UT6JE5TCR

Tillverk: Nr.:

UT6JE5TCR

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET

Datablad:

UT6JE5TCR Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor UT6JE5TCR

På lager: 1 665

Lager:: 1 665

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 3 000

Förväntad 2026-09-29
Fabrikens ledtid:: 16

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	4,20 kr	4,20 kr
	2,60 kr	26,00 kr
	2,09 kr	209,00 kr
	1,98 kr	990,00 kr
	1,91 kr	1 910,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	1,79 kr	5 370,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-2020-8D
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	1 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	840 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	6.7 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	2 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Falltid:	25 ns
Transkonduktans framåt - Min:	1.3 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	5.4 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	31 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	6.3 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Thailand
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Hall Effect ICs

ROHM Semiconductor Hall Effect ICs include unipolar detection, omnipolar detection, bipolar detection, and omnipolar with polarity detection ICs. These ICs feature a low average current of 3.5µA and fully-integrated CMOS logic output circuitry. The integrated dynamic offset cancellation provides high sensitivity, allowing for less precise placement of the permanent magnet. The product is rated at 8kV ESD withstand and rated for -40°C to +85°C operation. The Hall ICs are ideal for a wide range of portable consumer electronics applications including mobile phones, digital cameras, and computers.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.