Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SCT4062KWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4062KWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4062KWAHRTL
Price: 110.48 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-SCT4062KWAHRTL

Tillverk: Nr.:

SCT4062KWAHRTL

Tillverk:

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

Datablad:

SCT4062KWAHRTL Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor SCT4062KWAHRTL

På lager: 1 492

Lager:: 1 492 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	110,48 kr	110,48 kr
	78,33 kr	783,30 kr
	66,56 kr	6.656,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	56,49 kr	56.490,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-7LA
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	24 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	81 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.8 V
Qg - Gate-laddning:	64 nC
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	93 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	10 ns
Transkonduktans framåt - Min:	6.5 S
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkt:	MOSFET's
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	11 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	22 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	4.4 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SCT4062KWAHRTL Datablad

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a high-performance, automotive-grade device for use in demanding automotive environments. The ROHM SCT4062KWAHR features a high drain-source voltage rating of 1200V and a continuous drain current of 24A (at +25°C), making the MOSFET well-suited for high-voltage, high-efficiency power conversion systems. With a typical on-resistance of 62mΩ, the SCT4062KWAHR minimizes conduction losses and supports fast switching, which contributes to reduced power loss and improved thermal performance. Packaged in a TO-263-7LA format, the device offers excellent heat dissipation and ease of integration into compact power modules. SCT4062KWAHR is ideal for electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers, and DC-DC converters, where reliability, efficiency, and thermal stability are critical.