Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

RSD221N06TL

Name: ROHM Semiconductor RSD221N06TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RSD221N06TL
Price: 6.06 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RSD221N06TL

Tillverk: Nr.:

RSD221N06TL

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Trans MOSFET N-CH 60V 22A

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

RSD221N06TL Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 2500 Flera: 2500

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	6,06 kr	15 150,00 kr
	5,95 kr	29 750,00 kr
	5,77 kr	57 700,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	22 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	26 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	30 nC
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	20 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	65 ns
Transkonduktans framåt - Min:	12 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	45 ns
Serie:	RSD221N06
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	75 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	25 ns
Del # Alias:	RSD221N06
Enhetens vikt:	330 mg