Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

RSD080N06TL

Name: ROHM Semiconductor RSD080N06TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RSD080N06TL
Price: 5.29 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RSD080N06TL

Tillverk: Nr.:

RSD080N06TL

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er RECOMMENDED ALT 755-RD3L080SNTL1

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

RSD080N06TL Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 2500 Flera: 2500

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	5,29 kr	13 225,00 kr
	5,13 kr	25 650,00 kr
	4,95 kr	49 500,00 kr

Liknande produkt

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Tillverk: Nr.:

RD3L080SNTL1

Beskrivning:

MOSFET:er Nch 60V 8A TO-252 (DPAK)

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	8 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	80 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	9.4 nC
Pd - Effektavledning:	15 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	10 ns
Transkonduktans framåt - Min:	4.8 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	13 ns
Serie:	RSD080N06
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	30 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9 ns
Del # Alias:	RSD080N06
Enhetens vikt:	330 mg