Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

RS1E320GNTB

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RS1E320GNTB

Tillverk: Nr.:

RS1E320GNTB

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 4.5V Drive Nch MOSFET

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

RS1E320GNTB Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Inte tillgänglig

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Prissättning (SEK)

Begär ett pris

Liknande produkt

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Tillverk: Nr.:

RS1E321GNTB1

Beskrivning:

MOSFET:er Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 32.1A(Id), (4.5V Drive)

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HSOP-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	32 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	42.8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	3 W
Förpackning:	Reel
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	28.5 ns
Transkonduktans framåt - Min:	35 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	15.6 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	74.6 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	21.8 ns
Del # Alias:	RS1E320GN
Enhetens vikt:	771,020 mg