+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

RRH075P03TB1

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RRH075P03TB1

Tillverk: Nr.:

RRH075P03TB1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Pch -30V -7.5A MOSFET

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

RRH075P03TB1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Inte tillgänglig

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Prissättning (SEK)

Begär ett pris

Liknande produkt

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Tillverk: Nr.:

RS3E075ATTB1

Beskrivning:

MOSFET:er SOP8 P-CH 30V 7.5A

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOP-8
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	7.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	25 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	21 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	2 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Märke:	ROHM Semiconductor
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Transkonduktans framåt - Min:	9 S
Produkttyp:	MOSFETs
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Enhetens vikt:	83 mg