Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

RD3N06BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N06BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N06BATTL1
Price: 27.24 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RD3N06BATTL1

Tillverk: Nr.:

RD3N06BATTL1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

RD3N06BATTL1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RD3N06BATTL1

På lager: 2 041

Lager:: 2 041 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	27,24 kr	27,24 kr
	17,70 kr	177,00 kr
	12,19 kr	1 219,00 kr
	10,21 kr	5 105,00 kr
	9,57 kr	9 570,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	9,57 kr	23 925,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252-3
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	80 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	60 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	26 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	110 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	101 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	170 ns
Transkonduktans framåt - Min:	23 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	46 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	265 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	27 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RD3N06BATTL1 Datablad

Other

Chinese Datasheet

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs with low on-resistance dissipate power up to 142W. The lineup is offered in small, high-powered packages that greatly reduce the mounting area. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified, RoHS compliant, and halogen free. Ideal applications for ROHM N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs include advanced driver assistance systems (ADAS), body, lighting, and infotainment.