HT8MA5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MA5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MA5TB1
Price: 4.85 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-HT8MA5TB1

Tillverk: Nr.:

HT8MA5TB1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Ange kvantitet:

Minst: 3000 Flera: 3000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	4,85 kr	14 550,00 kr
	4,67 kr	28 020,00 kr
	4,51 kr	40 590,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HSMT-8
Transistorns polaritet:	N-Channel, P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V, 30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	- 12 A, 12 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	16.4 mOhms, 34.4 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Gate-laddning:	14.5 nC, 18.8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	14 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Falltid:	7 ns, 21 ns
Transkonduktans framåt - Min:	5.7 S, 6 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	13 ns, 20 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	33 ns, 52 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8 ns, 9.5 ns