HT8KE5HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8KE5HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8KE5HTB1
Price: 16.11 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-HT8KE5HTB1

Tillverk: Nr.:

HT8KE5HTB1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lager:: 3 000 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	16,11 kr	16,11 kr
	10,30 kr	103,00 kr
	6,87 kr	687,00 kr
	5,43 kr	2 715,00 kr
	4,96 kr	4 960,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	4,61 kr	13 830,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HSMT-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	6.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	210 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	3.7 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	13 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	6.3 ns
Transkonduktans framåt - Min:	1.5 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	6.2 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	11 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	5.7 ns