MS85R4M1TAFN-G-JAE2

Name: RAMXEED MS85R4M1TAFN-G-JAE2
Brand: RAMXEED
SKU: 249-MS85R4M1TAFNGJAE
Price: 160.17 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

249-MS85R4M1TAFNGJAE

Tillverk: Nr.:

MS85R4M1TAFN-G-JAE2

Tillverk:

RAMXEED

Beskrivning:

F-RAM

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

MS85R4M1TAFN-G-JAE2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om RAMXEED MS85R4M1TAFN-G-JAE2

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 126 Flera: 126

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	160,17 kr	20 181,42 kr
	160,06 kr	40 335,12 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	RAMXEED
Produktkategori:	F-RAM
Minnesstorlek:	4 Mbit
Organisation:	512 K x 8
Paket/låda:	TSOP-44
Åtkomsttid:	120 ns
Minimal matningsspänning:	1.8 V
Maximal matningsspänning:	3.6 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 105 C
Förpackning:	Tray
Märke:	RAMXEED
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	FRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	126
Underkategori:	Memory & Data Storage

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MS85R4M1TAFN-G-JAE2 Datablad (PDF)

Efterlevnadskoder

USHTS:: 8542320000
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Japan
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.