Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1

Name: RAMXEED MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1
Brand: RAMXEED
SKU: 249-85S4MLYPNGSAWW1
Price: 165.15 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

249-85S4MLYPNGSAWW1

Tillverk: Nr.:

MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1

Tillverk:

RAMXEED

Beskrivning:

F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - DFN8 T&R (AECQ100 125C)

Datablad:

MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om RAMXEED MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1500 Flera: 1500

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	165,15 kr	247 725,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	RAMXEED
Produktkategori:	F-RAM
RoHS-direktivet:
Minnesstorlek:	4 Mbit
Gränssnittstyp:	SPI
Maximal klockfrekvens:	50 MHz
Organisation:	512 k x 8
Paket/låda:	DFN-8
Minimal matningsspänning:	1.7 V
Maximal matningsspänning:	1.95 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Kvalificering:	AEC-Q100
Förpackning:	Reel
Märke:	RAMXEED
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Driftspänning:	1.8 V
Produkttyp:	FRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Memory & Data Storage

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1 Datablad (PDF)

Efterlevnadskoder

USHTS:: 8542320071
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Japan
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

AEC-Q100 Compliant SPI FeRAM Family

RAMXEED AEC-Q100 Compliant SPI Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Family is a high‑reliability lineup of nonvolatile ferroelectric memories designed for demanding automotive and industrial environments. These devices operate across a wide temperature range of -40°C to +125°C, making the devices suitable for harsh conditions commonly found in vehicles and high‑temperature equipment. Built on FeRAM technology, these RAMXEED components combine the nonvolatility of traditional EEPROM or Flash with the speed and endurance of SRAM‑like memory cells, offering exceptionally high read/write endurance (up to 10¹⁴ cycles in many automotive‑grade SPI variants), and instant, delay‑free writes that support frequent data updates without performance degradation.