MB85R8M1TAFN-G-JAE2

RAMXEED
249-MB85R8M1TAFNGAE2
MB85R8M1TAFN-G-JAE2

Tillverk:

Beskrivning:
F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - TSOP44 tray

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 15

Lager:
15
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
126
Förväntad 2026-06-04
Fabrikens ledtid:
10
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
403,54 kr 403,54 kr
373,54 kr 3 735,40 kr
361,67 kr 9 041,75 kr
352,87 kr 17 643,50 kr
335,07 kr 33 507,00 kr
333,69 kr 84 089,88 kr
504 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
RAMXEED
Produktkategori: F-RAM
RoHS-direktivet:  
8 Mbit
Parallel
1 M x 8
TSOP-44
65 ns
1.8 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
Tray
Märke: RAMXEED
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: FRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 126
Underkategori: Memory & Data Storage
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.b.1
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Japan
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.